Titulación | Tipo | Curso | Semestre |
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2500895 Ingeniería Electrónica de Telecomunicación | OB | 2 | 1 |
2500898 Ingeniería de Sistemas de Telecomunicación | OB | 2 | 1 |
Puede consutarlo a través de este enlace. Para consultar el idioma necesitará introducir el CÓDIGO de la asignatura. Tenga en cuenta que la información es provisional hasta el 30 de noviembre del 2023.
El estudiante debería saber:
.- Teorica de Circuitos (resolución de circuitos lineales con resistencias, capacitores e inductores)
.- Electrostática básica (conceptos de campo, potencial, etc.)
.- Matemática (números complejos, ecuaciones diferenciales elementales, etc,.)
Tema1. Física de semiconductors y transporte electrónico
1.1 Introducción a los semiconductores. Concentración de portadores.
1.2 Propiedades del transporte electrónico.
1.3 Cargas y campos. Diagrama de bandas.
Tema 2. Unión PN
2.1 Electrostática de la unión PN
2.2 Condiciones fuera del equilibrio. Corriente.
2.3 Aplicación a circuitos sencillos: rectificadores, filtros, etc.
Tema 3. Transistor bipolar
3.1 Tipos de transistores. Diagrama de bandas.
3.2 Características corriente-tensión.
3.3 Aplicación a circuitos sencillos: polarización, amplificadores, etc.
Tema 4. Transistores MOS
4.1 La estructura MOS.
4.2 Transistor MOS de canal largo.
4.3 Escalado del MOSFET. Efectos de canal corto.
4.4 Aplicación a circuitos sencillos: puertas lógicas, circuitos CMOS
Tema 5. Dispositivos fotónicos
5.1 Propiedades de la luz e interacción con la materia.
5.2 LEDs (Light Emitting Diode) y LASERs (Light amplification by stimulated emission of radiation)
5.3 Detectores de luz y celdas solares.
5.4 Aplicación a circuitos sencillos.
Atividades dirigidas:
Clases de teoría
Clases de problemas
Prácticas
Actividades supervisadas:
El estudiante puede contactar al profesor para explicaciones adicionales.
Actividades autónomas:
Estudio en casa
Resolución de problemas adicionales
Nota: se reservarán 15 minutos de una clase dentro del calendario establecido por el centro o por la titulación para que el alumnado rellene las encuestas de evaluación de la actuación del profesorado y de evaluación de la asignatura o módulo.
Título | Horas | ECTS | Resultados de aprendizaje |
---|---|---|---|
Tipo: Dirigidas | |||
Dirigidas | 12 | 0,48 | 2, 4 |
Dirigidas | 12 | 0,48 | 4, 7, 9 |
Dirigidas | 26 | 1,04 | 4, 7, 9 |
Tipo: Supervisadas | |||
Supervisadas | 12 | 0,48 | 4, 6, 17 |
Tipo: Autónomas | |||
Autónomas | 8 | 0,32 | 4, 8 |
Autónomas | 68 | 2,72 | 4, 6, 11 |
.- 1er Parcial escrito: 37.5% de la NOTA
.- 2º Parcial escrito: 37.5% de la NOTA
.- Prácticas: 25% de la NOTA
Se deben aprobar con un mínimo de 5 las tres partes. Ambos parciales pueden recuperarse al final del curso.
Las actividades prácticas son de asistencia obligatoria (todas ellas) y no son recuperables, por lo que cualquier incidencia (p.ej., enfermedad) debe ser comunicada al equipo docente lo más rápido posible.
En caso de no superar las tres partes de la asignatura, la nota del expediente se determinará de la siguiente forma:
Valor=0.25*NPrácticas+0.375*NP1+0.375*NP2, donde NPrácticas es la nota final de prácticas (sobre 10 puntos), NP1 es la nota del primer parcial (sobre 10 puntos), y NP2 es la nota del segundo parcial ( sobre 10 puntos).
Si Valor >= 5, entonces la nota del expediente será de 4.9
Si Valor < 5, entonces la nota del expediente será igual a Valor
Título | Peso | Horas | ECTS | Resultados de aprendizaje |
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Evaluación (1er parcial) | 37.5% | 2 | 0,08 | 4, 5, 15, 18, 19, 20, 21, 22, 23 |
Evaluación (2do parcial) | 37.5% | 2 | 0,08 | 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 12, 10, 11, 13, 14, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23 |
Prácticas | 25% | 6 | 0,24 | 2, 4, 7, 9, 15, 16, 18, 19, 20, 21, 22, 23 |
Seminario | 0 | 2 | 0,08 | 4, 7, 9 |
Básica:
Luis Prats Viñas y Josep Calderer Cardona, Dispositius electrònics i fotònics. Fonaments. Edicions UPC, 2001
T. Floyd, Electronic Devices. Seventh Edition, Prentice Hall, 2005
Avanzada:
R.F.Pierret, Semiconductor fundamentals (1988) / Fundamentos de semiconductores (1994)
Gerold W. Neudeck,. The PN Junction Diode (1989) / El diodo PN de unión (1993)
G.W.Neudeck, The Bipolar Junction Transistor (1989) / El transistor bipolar de unión (1994)
R.F. Pierret, Field effect devices (1990) / Dispositivos de efecto de campo (1994)
J.Wilson Optoelectronics: an introduction. Editorial Prentice Hall
Los programas de simulación a utilizar durante el curso son de uso estándar y están instalados en laboratorios de prácticas.